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Sheet No.: D3-A00201EN
GP1S092HCPIF
?SPAN class="pst GP1S092HCPIF_2587094_4">Design Considerations
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Design guide
1) Prevention of detection error
To prevent photointerrupter from faulty operation caused by external light, do not set the detecting face to
the external light.
2) Position of opaque board
Opaque board shall be installed at place 1.6mm or more from the top of elements.
(Example)
This product is not designed against irradiation and incorporates non-coherent IRED.
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Degradation
In general, the emission of the IRED used in photointerrupter will degrade over time.
In the case of long term operation, please take the general IRED degradation (50% degradation over 5
years) into the design consideration.
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Used parts
This product is assembled using the below parts.
" Photodetector (qty. : 1)
Category
Material
Maximum Sensitivity
wavelength (nm)
Sensitivity
wavelength (nm)
Response time (約)
Phototransistor Silicon (Si)
930
700 to 1 200
20
" Photo emitter (qty. : 1)
Category
Material
Maximum light emitting
wavelength (nm)
I/O Frequency (MHz)
Infrared emitting diode
(non-coherent)
Gallium arsenide (GaAs)
950
0.3
" Material
Case
Lead frame
Lead frame plating
Black polyphernylene
sul de resin (UL94 V-0)
42Alloy
SnCu plating
1.6mm or more
1.6mm or more
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